如何雕刻芯片：刻蚀原理｜芯片制造详解05

• 刻蚀是光刻后利用化学或物理手段对硅片本体进行精雕细琢的过程，分为湿法刻蚀和干法刻蚀两类。 — ✗ “这种光刻后利用化学或物理的手段...就叫刻蚀”
• 湿法刻蚀使用液态化学品，如强酸强碱，通过浸泡方式去除材料，早期用于金属盔甲雕花及大规模芯片制造。 — ✓ “一是使用液态化学品的湿法刻蚀” (0:54)
• 腐蚀硅等半导体材料需使用混合酸液（如HNA），其中氢氟酸具有极高危险性，接触皮肤会侵蚀骨骼，俗称“化骨水”。 — ✗ “里面的氢氟酸极其危险...俗称——化骨水”
• 湿法刻蚀的关键指标包括刻蚀速率、选择比和方向性，其中温度、搅拌和超声波空穴现象会影响刻蚀效果。 — ✓ “刻蚀中有三个关键指标:刻蚀速率、选择比和方向性” (2:53)
• 理想的刻蚀应具有各向异性（单向垂直刻蚀），而普通湿法刻蚀多为各向同性（均匀腐蚀），易导致器件短路。 — ✗ “一般的湿法刻蚀没有方向...这叫做各向同性”
• 为实现一定程度的各向异性，可使用氢氧化钾等碱性溶剂，但其金属离子可能影响器件性能，且存在安全隐患。 — ✓ “工程师们开始用碱性的金属溶剂,比如氢氧化钾” (6:19)
• 现代湿法刻蚀中使用的TMAH、EDP和联安溶剂虽对芯片安全，但对人类剧毒、致癌或易燃易爆，严禁私自操作。 — ✗ “最安全的是TMAH...主要成分四甲基氢氧化氨,是一种神经毒素”
• 随着制程进入纳米级，湿法刻蚀因精度不足被淘汰，主流前端制程超过90%采用方向性更好的干法刻蚀。 — ✓ “在主流的芯片制程中,超过90%的芯片刻时都是干法” (10:37)
• 干法刻蚀利用气体等离子体或离子束轰击硅片，兼具物理与化学属性，可通过调节气体配比平衡选择比与方向性。 — ✗ “干法用的则是气体...形成等离子体或离子束”
• 干法刻蚀设备昂贵且耗时，通常一台光刻机需配备多台刻蚀机，但能实现纳米级的精密结构加工。 — ✗ “一台进口刻时机的价格数百万元美元...产线上一台光刻机要赔多台刻时机”
• 国产刻蚀材料（湿法化学品和特种气体）提纯技术快速成长，电子级湿法化学品国产率已达25%。 — ✓ “目前电子级湿法化学品的国产率25%” (11:41)
• 国内头部厂商如中微公司的干法刻蚀机已通过台积电5纳米产线认证，北方华创有14纳米设备，国产设备采购比例提升至约20%。 — ✓ “中微公司的干法刻时机已经通过台积电的5纳米产线认证” (12:00)

• 1:00 让硅片在强酸强碱的
• 2:00 CID / BUGGO KILLS / BLEACH CAUTION / FLU LYE BUG AMM / 比如浓硝酸加氢氟酸
• 3:00 1 刻蚀速率 / 2 选择比 / 3 方向性
• 4:00 对于温度很敏感
• 5:00 注意这里说的清洗
• 6:00 各向同 / 这叫做 各向同性
• 7:00 各种不含金属的刻蚀液
• 8:00 在被拿来刻蚀芯片之前
• 9:00 Radical / Gas / Ion / Radical / Si Etching (Isotropic Etching) / Repeated / 湿法用的是液体
• 10:00 REMOVE TOP MANDREL / 芯片制造的第三个重要工艺

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样例，第 1 张图 — A man wearing glasses and a green t-shirt stands on the right side of the image against a black background. To his left is large Chinese text in orange, blue, and green outlines. Behind the text is a graphic of a computer chip with glowing green circuits. A cartoon bottle of green poison with a skull and crossbones floats near the top, and a blue energy sphere floats near the man's hand. 图上文字开头： “如何刻出芯片： 腐蚀 剧毒的雕刻艺术”